Novo chip IC original P-Channel 60 V (D-S) mosfet 175c Sqj457ep-T1 Be3
N ° de Modelo.
SQJ457EP-T1 BE3
Pacote de Transporte
Standard Package
Especificação
0.006596 oz
Marca Registrada
Vishay / Siliconix
Origem
Original
Código HS
8542900000
Capacidade de Produção
100000PCS/Day
Preço de referência
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Descrição
Descrição de Produto
NOVO CHIP IC ORIGINAL CANAL P 60 V (D-S) MOSFET SQJ457EP-T1 175C BE3
| Modelo n.o | SQJ457EP-T1 BE3 |
| Marca | Vishay/Siliconix |
| Categoria do produto | MOSFET |
| D/C | Mais recente |
| Origem | Original |
| Condição | Novo e original |
| Descrição | Microcontroladores |
| Especificação | Padrão |
| Embalagem | Tabuleiro, bobina, espuma, caixa |
| Prazo | 1-5 dias úteis |
| Prazo de pagamento | TT/Paypal/Western Union/Escrow |
| Método de envio | DHL \ UPS \ FEDEX \ EMS \ TNT |
Atributos do produto
| Categoria do produto | MOSFET | Tecnologia | Si |
| Pacote/caixa | PowerPak-SO-8-4 | Estilo de montagem | SMD/SMT |
| Polaridade do transístor | Canal P. | Número de canais | 1 Canal |
| VDS - drenagem - Tensão de avaria da fonte | 60 V | ID - corrente de purga contínua | 36 A. |
| RDS On-Drain - resistência da fonte | 25 mOhms | VGS - porta - Tensão de fonte | - 20 V, 20 V |
| VGS TH-Gate - Tensão de limiar da fonte | 2.5 V | QG - carregamento da porta | 65 NC |
| Temperatura mínima de funcionamento | - 55 C | Temperatura máxima de funcionamento | 175 C |
| Dissipação de energia PD | 68 W | Modo de canal | Melhoria |
| Tempo de queda | 6 ns | Tempo de atraso típico de activação | 15 ns |
| Tempo de subida | 5 ns | Tempo de atraso típico de desactivação | 40 ns |
| Configuração | Único | Tipo de transístor | 1 canal P. |
| Tipo de produto | MOSFET | Subcategoria | MOSFET |
Perfil da empresa
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Certificações
Marcas cooperativas
Embalagem e Envio
FQA
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