MOSFET IRF540PBF 100 V N-CH HEXFET

N ° de Modelo.
IRF540PBF
pacote
a -220
qualidade
original novo genuíno
D/C
Mais de 20
MFG.
VISHAY
Pacote de Transporte
Box
Origem
China
Código HS
8542390000
Capacidade de Produção
1000000PCS
Preço de referência
$ 1.80 - 180.00
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Descrição de Produto

Descrição

IRF540PBF  :  Transm MOSFET N-CH 100V 28A 3 pinos (3 abas) A 220AB

MFR. Part #: IRF540PBF

MFR.: VISHAY

Folha de dados:   IRF540PBF MOSFET 100V N-CH HEXFET (Envie-nos um e-mail ou converse-nos para ficheiro PDF)

Estado RoHS:   IRF540PBF MOSFET 100V N-CH HEXFET

Qualidade: 100% original

Garantia: UM ANO
 

Atributo do produto Valor do atributo Procurar semelhante
Fabricante: Vishay  
Categoria do produto: MOSFET  
RoHS:   Detalhes  
Tecnologia: Si  
Estilo de montagem: Através do orifício  
Embalagem/caixa: PARA -220AB-3  
Polaridade do transístor: N-Channel (Canal N)  
Número de canais: 1 Canal  
VDS - drenagem - Tensão de avaria da fonte: 100 V  
ID - corrente de purga contínua: 28 A.  
RDS On-Drain - resistência da fonte: 77 mOhms  
VGS - porta - Tensão de fonte: - 20 V, 20 V  
VGS TH-Gate - Tensão de limiar da fonte: 4 V.  
QG - carregamento da porta: 72 NC  
Temperatura mínima de funcionamento: - 55 C  
Temperatura máxima de funcionamento: 175 C  
Dissipação de energia PD: 150 W  
Modo de canal: Melhoria  
Embalagem: Tubo  
Marca: Semicondutores Vishay  
Configuração: Único  
Tempo de queda: 43 ns  
Altura: 15.49 mm  
Comprimento: 10.41 mm  
Tipo de produto: MOSFET  
Tempo de subida: 44 ns  
Série: IRF  
Quantidade da embalagem de fábrica: 1000  
Subcategoria: MOSFETs  
Tipo de transístor: 1 N - Canal  
Tempo de atraso típico de desactivação: 53 ns  
Tempo de atraso típico de activação: 11 ns  
Largura: 4.7 mm  
Aliases # artigo: IRF540PBF - BE3  
Peso da unidade: 0.068784 oz
 
 
 

Os MOSFETs de potência de terceira geração da Vishay proporcionam ao designer a melhor combinação de comutação rápida, design robusto de dispositivos, baixa resistência e relação custo-eficácia.

O PACOTE TO-220AB é universalmente preferido para todas as aplicações comerciais-industriais a níveis de dissipação de energia de aproximadamente 50 W. a baixa resistência térmica e o baixo custo de pacote DO TO-220AB contribuem para a sua ampla aceitação em toda a indústria.

Principais características

  • Classificação DV/dt dinâmica
  • Classificação de Avalanche repetitiva
  • Temperatura de funcionamento de 175 ° C.
  • Comutação rápida
  • Facilidade de sincronização
  • Requisitos de unidade simples
  • Em conformidade com a RoHS Directive 2002/95/EC


 
 



IRF540PBF MOSFET 100V N-CH HEXFET


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Aviso:

  1. As imagens do produto são apenas de referência.
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