Novo transístor de chip IC MOSFET N-CH 60V 80A To263-3 original Ipb80n06s4l-07
N ° de Modelo.
IPB80N06S4L-07
Pacote de Transporte
Standard Package
Especificação
0.139332 oz
Marca Registrada
Infineon Technologies
Origem
Original
Código HS
8542900000
Capacidade de Produção
100000PCS/Day
Preço de referência
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Descrição
Descrição de Produto
Novo transístor de chip IC MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 original IPB80N06S4L-07
| Modelo n.o | IPB80N06S4L-07 |
| Marca | Infineon Technologies |
| Categoria do produto | MOSFET |
| D/C | Mais recente |
| Origem | Original |
| Condição | Novo e original |
| Descrição | Microcontroladores |
| Especificação | Padrão |
| Embalagem | Tabuleiro, bobina, espuma, caixa |
| tempo de espera | 1-5 dias úteis |
| Prazo de pagamento | TT/Paypal/Western Union/Escrow |
| Método de envio | DHL \ UPS \ FEDEX \ EMS \ TNT |
Atributos do produto
| Categoria do produto | MOSFET | Tempo de atraso típico de activação | 10 ns |
| Pacote/caixa | A -263-3 | Estilo de montagem | SMD/SMT |
| Tecnologia | Si | Polaridade do transístor | N-Channel (Canal N) |
| Número de canais | 1 Canal | VDS - drenagem - Tensão de avaria da fonte | 60 V |
| ID - corrente de purga contínua | 80 A. | RDS On-Drain - resistência da fonte | 6.4 mOhms |
| VGS - porta - Tensão de fonte | - 16 V, 16 V | VGS TH-Gate - Tensão de limiar da fonte | - |
| QG - carregamento da porta | 58 NC | Dissipação de energia PD | 79 W |
| Temperatura mínima de funcionamento | - 55 C | Temperatura máxima de funcionamento | 175 C |
| Modo de canal | Melhoria | Configuração | Único |
| Tempo de queda | 8 ns | Tempo de atraso típico de desactivação | 50 ns |
| Tipo de produto | MOSFET | Tempo de subida | 3 ns |
| Subcategoria | MOSFET | Tipo de transístor | 1 N - Canal |
Perfil da empresa
Principais distribuidores de componentes electrónicos
Equipa de vendas profissional
Equipe de produtos profissionais
Certificações
Marcas cooperativas
Embalagem e Envio
FQA
Circuito Integrado
-
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